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SCOPERTA/ Chiavette, pc e carte di credito: la memoria del futuro è made in Italy

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L’eccezionale sviluppo delle memorie non-volatili e delle loro applicazioni è stato reso possibile da una particolare tecnologia, quella delle memorie flash, introdotta sul mercato all’inizio degli anni 90. Le memorie flash hanno celle di memoria molto compatte, costituite da un singolo transistore, in cui è possibile immagazzinare  anche più di un bit di informazione. La cella di memoria flash è un transistore particolare le cui caratteristiche dipendono dalla carica elettrica immagazzinata, la cui variazione modifica l’informazione contenuta. Esistono due categorie di memorie flash, che si differenziano per le prestazioni a causa di una diversa organizzazione interna: le memorie flash di tipo NOR permettono di accedere ai dati velocemente e in modo casuale mentre quelle di tipo NAND offrono maggior densità e minor costo a scapito di un accesso ai dati sequenziale; le prime sono più adatte a memorizzare programmi mentre le seconde sono più adatte a immagazzinare file di dati.

«Le memorie flash, in particolare quelle NAND, costituiscono oggi la frontiera più avanzata della tecnologia d’integrazione; si producono in volume memorie da 16 gigabit (Gbit) realizzate con tecnologia da 40 nanometri (nm) e si è già avviata la produzione dei chip da 32 Gbit in tecnologie da 32-34 nm. Tuttavia, l’evoluzione della tecnologia flash, basata sulla continua riduzione di dimensioni dalle celle, sta raggiungendo i limiti imposti dalle dimensioni minime di funzionamento della cella stessa; il limite fisico si dovrebbe raggiungere intorno ai 20 nm, cioè in tre o quattro anni». Diventa quindi fondamentale trovare tecnologie alternative che consentano proseguire nell’evoluzione delle memorie non-volatili oltre i limiti raggiungibili con le memorie flash. In questo contesto si capisce l’importanza dei risultati presentati da Numonyx.

Da alcuni anni si stanno studiando nuovi concetti di memoria non-volatile, basati su principi di funzionamento radicalmente diversi, alla ricerca della tecnologia che in futuro possa rimpiazzare le memorie flash. La più promettente tra tecnologie emergenti è la memoria a cambiamento di fase, sulla quale avevano puntato, indipendentemente, Intel e STM per poi unire gli sforzi nel 2003 in un programma congiunto di ricerca, in seguito confluito in Numonyx. Per la prima volta, al congresso di Baltimora è stato presentato un quadro completo dei risultati di tale attività, confermando la posizione di preminenza di Numonyx in questo campo.

 

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