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SCOPERTA/ Chiavette, pc e carte di credito: la memoria del futuro è made in Italy

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A differenza delle memorie flash – come ci spiega Cappelletti -  che si basano sull’immagazzinamento di carica elettrica, quelle a cambiamento di fase sfruttano la proprietà di alcuni materiali di passare in maniera stabile e reversibile dalla fase cristallina alla fase amorfa, presentando nelle due fasi caratteristiche elettriche molto diverse. «Sono gli stessi materiali utilizzati nei DVD riscrivibili: nei DVD il cambiamento di fase è indotto da un fascio laser e si rileva una variazione di riflettività del materiale, mentre in queste memorie la transizione è dovuta al riscaldamento prodotto da corrente elettrica e ciò che si osserva è la variazione di resistività del materiale».

Quali sono dunque i vantaggi di queste memorie? «Le memorie a cambiamento di fase si programmano più velocemente e sopportano più cicli di scrittura delle memorie flash e, soprattutto, non presentano limiti fisici alla riduzione delle dimensioni della cella fino meno di 10 nm. Ciò che ancora deve essere dimostrato è la loro producibilità a livello industriale e la loro competitività in termini di costi di produzione».

Cappelletti tuttavia non nasconde la soddisfazione per i risultati presentati dai ricercatori di Numonyx all’IEDM. «Su un chip da 128Mbit realizzato in tecnologia da 90 nm, abbiamo dimostrato di saper produrre memorie a cambiamento di fase raggiungendo standard industriali in termini di resa di produzione e di affidabilità. In un altro lavoro, che è stato valutato come il più interessante tra tutti quelli sulle memorie, abbiamo presentato la tecnologia per memorie a cambiamento di fase da 45 nm, la più avanzata finora presentata a livello mondiale; con questa stiamo sviluppando un chip da 1Gbit che è competitivo in termini di costi con memorie RAM o flash di pari capacità. In un lavoro congiunto Numonyx e STM, abbiamo dimostrato che le memorie a cambiamento di fase possono essere integrate in tecnologie CMOS per microcontrollori o chip per carte intelligenti con vantaggi di prestazioni e costo rispetto alle memorie flash. In un altro lavoro, insieme a Intel, è stata presentata per la prima volta una tecnologia innovativa che consente di sovrapporre diversi strati di celle in un unico chip per ottenere, grazie all’integrazione verticale, una maggiore densità; in questo modo le memorie a cambiamento di fase potrebbero raggiungere densità e  costi adeguati all’applicazione nel campo dei dischi a stato solido».

Una raffica di risultati quindi, che non solo conferma una leadership tecnologica ma anche la versatilità delle nuove memorie che possono coprire vantaggiosamente tutte le applicazioni delle memorie non-violatili, candidandosi a giocare negli anni a venire un ruolo di crescente rilevanza nello scenario delle memorie a stato solido.

 

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