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ELETTRONICA/ Come memorizzare tanti bit senza sprecare corrente

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La ricerca è stata illustrata recentemente a San Francisco in uno studio intitolato “Voltage-Induced Switching of Nanoscale Magnetic Tunnel Junctions” presentato all’annuale Meeting della IEEE International Electron Devices, il principale forum delle innovazioni tecnologiche nel settore dei semiconduttori e dei dispositivi elettronici. Il gruppo di ricerca è stato guidato da Kang L. Wang, Raytheon Professor di ingegneria elettrica alla UCLA, e comprendeva gli ingegneri elettrici Juan G. Alzate e Pedram Khalili, quest’ultimo responsabile dei programmi di ricerca UCLA-DARPA sulle logiche non-volatili.

Gli autori sono convinti che la possibilità di commutare magneti su scala nanometrica utilizzando la tensione sia una prospettiva interessante e in rapida crescita; la loro ricerca in effetti offre una nuova comprensione di diversi aspetti: come la modalità di controllo della direzione di commutazione tramite impulsi di tensione, o la sicurezza che i dispositivi funzionino senza bisogno di campi magnetici esterni, o ancora come integrarli in array di memoria ad alta densità. «Una volta sviluppata in un prodotto – dicono – il vantaggio della MeRAM rispetto alle altre tecnologie non sarà limitato alla sua minore dissipazione di energia ma avrà l’altro importante risultato di ottenere RAM molto dense; il che può aprire nuove aree di applicazione in cui il basso costo e l’alta capacità sono i vincoli principali”.

Dato il riferimento allo spin, questi dispositivi vengono chiamati spintronici; il loro funzionamento con bassissimo dispendio energetico fa intravedere potenziali implicazioni anche al di là del settore delle memorie. Si può pensare infatti di attivare nuovi sistemi elettronici cosiddetti instant-on, in cui la memoria è integrata con la logica e l’elaborazione, eliminando così completamente l'alimentazione di standby e migliorando notevolmente la funzionalità.

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