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MICROELETTRONICA/ In arrivo nuovi materiali: semplicemente “perfetti”

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Immagine SEM effetuata da C.V.Falub dell'ETH di Zurigo  Immagine SEM effetuata da C.V.Falub dell'ETH di Zurigo

I materiali che abbiamo più largamente studiato sono il germanio e le leghe di silicio-germanio; ma abbiamo ottimi motivi per affermare che questa tecnica di crescita per impilamento sia efficace anche per una vasta gamma di semiconduttori, ad esempio quelli appartenenti ai gruppi III-V, come l’arseniuro di gallio.

 

La stampa parla di “materiali perfetti”: cosa significa questa espressione?

 

Materiale perfetto significa che il germanio su silicio che abbiamo ottenuto con questa tecnica è privo di difetti cristallini e di deformazioni, mostrando delle caratteristiche del tutto confrontabili con quelle del germanio puro.

 

I vantaggi sono solo di tipo economico o ce ne sono anche altri?

 

Oltre al grande vantaggio economico di poter integrare dei materiali attivi su substrati di silicio, ci sono notevoli vantaggi tecnologici quali la possibilità di realizzare rivelatori di raggi X bidimensionali ad altissima risoluzione spaziale, utili per il monitoraggio in operazioni di laparoscopia, e celle solari molto leggere, ideali per applicazioni aerospaziali, oltre alla produzione di dispositivi per elettronica di potenza.

 

Il risultato è emerso nell'ambito di una collaborazione tra L-NESS, Politecnico di Milano e Politecnico di Zurigo: come si è sviluppata la collaborazione fra i tre centri?

 

Il grande risultato che abbiamo ottenuto è sicuramente figlio della stretta collaborazione tra questi centri, la quale è attiva già da molti anni. I principali fautori di questa collaborazione sono i professori Leo Miglio, Hans von Känel e Giovanni Isella che, grazie alla loro preparazione scientifica e predisposizione al lavoro in squadra, hanno permesso di ottenere ottimi risultati nel campo della fisica dei semiconduttori.


(a cura di Anna Giorgioni)



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