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ELETTRONICA/ Le prossime memorie magnetiche si "scriveranno" con la luce

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L’inserimento controllato, tramite una specifica procedura di sintesi, di pochi atomi di rame (4-5 atomi) in nanoparticelle di semiconduttore del diametro di circa 3 miliardesimi di metro conferisce loro proprietà di memoria magnetica. La scoperta, recentemente pubblicata sulla rivista Nature Nanotechnology, è stata fatta da un gruppo misto di ricercatori del Los Alamos National Laboratory (LANL) e dell’Università degli Studi di Milano-Bicocca presso il suo Dipartimento di Scienza dei Materiali che gestisce sia la ricerca scientifica su materiali avanzati che i corrispondenti corsi di Laurea triennali e specialistici. Questo lavoro fa parte di una linea di ricerca molto ampia incentrata sullo sviluppo di nuovi materiali nanotecnologici avanzati per applicazioni in elettronica e fotonica, che è la missione principale del gruppo di ricerca guidato da Victor Klimov al LANL.

Ne parliamo con Sergio Brovelli, trentaquattrenne ricercatore di fisica sperimentale del Dipartimento di Scienza dei Materiali dell’Università di Milano-Bicocca, dove è rientrato dopo aver lavorato per alcuni anni nel gruppo di Klimov.

Di cosa si occupa il vostro gruppo di ricerca?

Nell’ambito della linea di ricerca ci occupiamo in particolare di individuare nuove strategie per conferire proprietà inedite a nanocristalli semiconduttori prodotti per via sintetica. Questi materiali, tipicamente composti da poche migliaia di atomi e di dimensioni di pochi miliardesimi di metro, sono estremamente interessanti sia per nuovi dispositivi fotovoltaici che per LED ad elevata efficienza. In questo frangente, una delle sfide scientifiche più attuali è riuscire ad applicare la tecnica più comune per il controllo delle proprietà elettriche e ottiche di semiconduttori tradizionali, ovvero l’inserimento controllato di pochi atomi ospite all’interno dei nanocristalli.

Sebbene questa tecnica, nota come drogaggio, sia uno strumento routinario per la realizzazione industriale di dispositivi a semiconduttore tradizionali (per esempio transistor, diodi o LED), essa presenta gravi difficoltà quanto applicata a materiali nanometrici e richiede quindi un forte impegno in termini di ricerca di base per la sua comprensione. Nello specifico noi ci siamo occupati del drogaggio con atomi di rame che sono stati utilizzati ampiamente in passato per ottenere emettitori di luce o per migliorare la conducibilità elettrica di materiali semiconduttori massivi.

Che cosa avete scoperto?



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